随着射频收发组件小型化的要求越来越高,射频单片集成电路向小型化和多功能化方向发展。基于TSMC 0.35μm SiGe工艺成功研制了一款多功能下变频芯片。片上集成了正交(I/Q)混频器、有源巴伦、多相滤波器、输出缓冲器和LDO。通过对整个电路合理的版图设计,实现了芯片的小型化,芯片裸片尺寸仅为2.2 mm×1.5mm。测试结果表明,多功能下变频芯片射频和本振频率范围为900~1300 MHz,中频频率范围100~500 MHz,具有良好的正交宽中频输出特性,匹配良好;变频增益大于-1 dB,1 dB压缩输入功率可达到8 dBm,线性度良好;本振输入功率0 dBm,整个电路功耗为0.45 W。信号直接提供给正交双平衡混频器。双平衡输出的正交差分中频信号经过缓冲器转换为单端正交中频信号。图1芯片原理框图多功能下变频芯片主要电路模块可分为正交双平衡混频器、有源射频巴伦、多相滤波器、缓冲器。先对各个功能电路进行仿真设计,最后进行整体仿真和版图设计。1频芯片的设计与实现-数控滚圆机滚弧机张家港电动数控滚圆机滚弧机折弯机.1正交双平衡混频器的设计正交双平衡混频器以吉尔伯特混频器结构为原型,采用两个双平衡吉尔伯特单元实现正交混频[4],有效抑制了镜像频率。本文由公司网站滚圆机网站采集转载中国知网资源整理!www.gunyuanj
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