文章以光刻原理为引子,介绍光刻设备的系统结构,解读光刻机行业的发展概况,重点介绍光刻机装备国产化的发展之路,最后,文章提出中国半导体装备业国产化的顶层设计框架。 ?工艺精度以及芯片功耗、性能水平[1]。1光刻原理光刻（lithography）设备是一种投影曝光系统，由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的光掩膜版及光学镜片，  本文由公司网站滚圆机网站

转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上，如图1所示。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路[2]。此工艺过程被一再重复，将数十亿计的MOSFET或其他晶体管建构在硅晶圆上，光刻机发展概况-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机形成一般所称的集成电路。图1光刻原理半导体制程越先进，光刻设备便需要越精密复杂，包括高频率的激光光源、光掩模的对位精度、设备稳定度等，集合了许多领域的最尖端技术。图2是一张ASML的双工作台Twinscan光刻机介绍，各模块的作用如图2所示。图2光刻机结构激光器（Laser）：也就是光源的发源地，光刻机核心设备之一。束流输送（BeamDelivery）：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光。束状态有不同的光学特性。矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。物镜（ProjectionLens）：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩校操作控制单元（OperateControlUnit）：操作控制设备的运行控制电脑面板。光源（Illuminator）：是光刻的利刃。光源的要求：有适当的波长（波长越短，曝光的特征尺寸就越小），同时有足够的能量，并且均匀地分布在曝光区。紫外光源的高压弧光灯（高压汞灯）的g线（436nm）或i线（365nm）；准分子激光（Excimerlaser）光源，比如KrF（248nm）、ArF（193nm）和F2（157nm）。硅片传输系统（WaferTransportSystem，WTS光刻机发展概况-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机  本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com